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集成门极换向晶闸管开关特性

来源:    作者:     发布时间:2013-04-24 16:33:51     点击数:

GCT与其他开关一样,有导通和截止两稳态和关断开通两暂态。开通时门极施以正强电压初瞬,GCT处于pnp晶体管状态,这时晶体管作用大于晶闸管作用。转入导通后,GCT仍可用两正反馈的晶体管等效,强烈的正反馈使两晶体管都饱和导通,等效电路如图2a所示。当GCT处于阻断状态时,其门极一阴极结反偏,等效电路如图2b所 示。

GCT能够无中间区无缓冲关断,原因在于强关断时可使其阴极注入瞬时停止,不参与以后过程,改变器件在双极晶体管模式下关断,前提是在P基n发射结外施以高负电压,使阳极电流很快由阴极转移(或换向)至门极(门极换向晶闸管即由此得名),不活跃的npn管一停止注入,pnp管即因无基极电流容易关断。GCT成为pnp管早于其承受全阻断电压的时间,而GTO却是在SCR状态下承受全阻断电压的。所以GCT可像IGBT无缓冲运行,无二次击穿,拖尾电流虽大但时间很短。

综合上述,合适的门极强驱动下,GCT开通初瞬处于NPN晶体管状态;导通时为晶闸管状态;关断瞬间和截止状态均为PNP晶体管状态。

IGCT开关特性和功能模型的建立图3所示为IGCT制造商ABB提供的IGCT典型的开通和关断特性波形。在图3a中,当控制信号CS变为高电平时,IGCT阳极电压VD经过开通延迟时间fd。。后下降到90%VD。阳极电压从90%VD经过上升时间0后下降到10%VD,此时阳极电流刚刚开始上升。经过开通时间t。。后才完全开通。在图3b中,当控制信号CS变为低电平时,IGCT阳极电流矗经过关断延迟时间td。ff后下降到40%IT。阳极电流h下降到40%IT的时间称为下降时间。经过关断时间t。f!f后IGCT才完全关断。

根据以上IGCT开关特性,借鉴GTO的建模方式,采用子电路法可以在PSIM下实现IGCT器件的功能型模型。所谓的功能型模型是指将器件看作成“黑盒子”,只描述该器件的外部特性而不关心其内部详细的物理特性[3】。这种模型的计算速度快,参数求解简单【4】。根据ABB公司提供的型号为5SHY 35L4510的非对称型IGCT的相关数据,建立PSIM仿真环境下IGCT器件的仿真模型。这一模型共分为控制信号延迟电路、稳态电路、开通暂态控制电路、关断暂态控制电路四个子电路,如图4所示。1

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