薄膜变压器国内外发展动态

众所周知，要减小变压器的尺寸，则磁性元器件的工作频率要升高。采用MnZn铁氧体做磁芯，当工作频率达到idtz时，其磁芯的磁滞损耗和涡流损耗急剧增加，并且传统绕组的临近效应和趋肤效应也急剧增强，这些导致变压器损耗增加。在磁记录工业中，多层合金薄膜构成的三明治结构已经代替铁氧体作为读写磁头．合金薄膜具有很高的饱和磁通密度，采用薄膜形式控制涡流损耗，还可以采用制造集成电路的光刻技术和精确的制版技术减少磁芯和绕组的涡流损耗。国外研究人员已经做了大量关于薄膜变压器方面的研究。从薄膜材料入手研究了包括CoNbZr、FeCrTdN、CoPdSiO等在内的多种高频薄膜材料，并从线圈形状、制作工艺、薄膜层数、变压器结构等方面对薄膜变压器进行优化。K．Yanaswa等【2谰10urn厚的金属薄膜作为磁芯制造功率变压器，其效率达到78％，但是功率密度较低仅为3roW／溯2。T．yachi[习改进工艺选用CoZrRe合金作为磁芯材料，采用薄膜溅射技术，制造出功率密度达到O．72W／cm2的薄膜变压器，并且他们在同一衬底上同时集成Schottky整流二极管，证实了半导体器件与磁性器件同时集成的可行性。M．Yamaguchi等14】采用溅射CoNbZr合金制造出较高功率和效率的变压器，工作在10MHz时达到60％的效率和O．8W／cm2的功率密度。Bell实验室的A．fLocty等【5l采用光刻技术和电镀技术，制作隔离脉冲变压器。工作在10MHz时，其初级电感为O．5～1．O，饵。溅射带状丝和非晶CoNbzr薄膜，H，Tsujimoto等【6J构造出～种新型的薄膜变压器一一针孔器件。它随激化频率的增加，其输出电压增加；且沿带状线方向加外场时，其输出电压急剧增加；沿垂直带状线方向加外场，其输出电压几乎不变化。

文献[7-9]成功研制薄膜变压器并用于移动通信等领域，该器件以CoZrRe软磁薄膜为磁芯，尺寸：4x4x0．3mm3，可工作频率范围为5到40MHz，初级电感值为350nil，次级电感为40nH，且直到40MHz电感值稳定，耦合因子为0．5，部分产品已应用于DC—DC磁性集成块上，直接构成新芯片。采用z型线圈和Co-Zr磁芯，文献【lo】研制出应用于多层开关调节器的平面薄膜变压器，在IMHz频率工作时效率可达77．5％。在文献【”l中，C．R．Sullivan等制作罐状结构薄膜变压器，以多层NiFe薄膜为磁芯：为连接绕组导线和形成磁路回路，采用上下对准技术；他们制作的十层磁芯罐状薄膜变压器的功率密度达到46W／cm2，其效率为94％；并预测：效率为80％时，功率密度为lOOW／cm2；效率为95％时，功率密度为60W／cm2。M．Brunetll2]等制作E型高功率密度薄膜变压器，改变绕组导线的高宽比，并对磁芯进行分层，结果表明大的绕组导线的高宽比和适当的磁芯分层都有利于提高薄膜变压器的功率密度。在这一领域的研究我国敞E于软磁非晶薄膜材料性能的初级阶段，微型化的薄膜变压器等微型器件的研究刚刚起步，与国际相比存在着一定的差距。1

摘要：二次系统控制器是保障静止无功功率发生器(SVG)工作性能的关键因素。设计了一种以TMS320F28335为核心的SVG二次系统控制器，一体成型电感介绍了其控制原理，并给出了满足系

变压器的损耗是如何形成的？简介：变压器的损耗是当变压器的初级绕组通电后，线圈所产生的磁通在铁芯流动，因为铁芯本身也是导体，在垂直于磁力线的平面上就会感应电势，这个电势在铁芯的断面上形成闭合回路并产生电

一、 电感器的定义        1.1 电感的定义：         功率电感是导线内通过交流电流时，在导线的内部及其周围产生交变磁通，导线的磁通量与生产此磁通的电流之比。         当功率

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