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基于EMCCD的驱动电路设计

来源:    作者:     发布时间:2015-04-12 16:43:09     点击数:

EMCCD(Electron MuItiplying Charge Coupled Device)是新一代高质量微光成像器件。与传统CCD(Charge Coupled Device)相比,它采用了片上电子增益技术,利用片上增益寄存器使电感器课件图像信息在电子转移过程中得到放大,这使得它在很高的读出速率下仍具有相对很低的读出噪声,能在微光源下高分辨力成像。
EMCCD的这些特性使其在航天微光目标探测、微光生命科学成像、军用高性能夜视探测等领域具有极大的应用潜力。EMCCD驱动电路是EM-CCD应用的核心技术,其性能直接影响到成像质量。目前常用的时序产生方法有以下几种:
(1)直接数字电路驱动法。这种方法原理简单,容易实现。但是逻辑设计较复杂,调试非常困难,而且在实际电路中因使用芯片较多,为整个系统带来不可靠性。
(2)MCU驱动法。该方法是通过编程MCU的I/O端口来获得CCD驱动脉冲信号的。这种方法的灵活性好,精度也可以很高,对不同的CCD器件只需要修改程序即可。由于CCD的驱动频率为MHz级,使得选用MCU器件的工作频率必须很高(提高了硬件成本),同时因频繁的中断和任务调度使MCU效率很低。
(3)EPROM驱动法。这种驱动电路一般由晶体震荡器、计数电路和EPR功率电感OM存储器构成。这种驱动时序产生方法,结构简单、明确,调试容易,缺点是结构尺寸太大,对于实现复杂的驱动时序有较大困难。
(4)专用IC驱动方法。这种方法就是利用CCD专用IC来产生时序,集成度高,功能强,使用方便。对摄像机等视频领域应用的CCD或三元彩色CCD,这种驱动方法是首选。一般由相应的CCD厂家提供。
另一种更有效的方法就是使用CPLD,FPGA等大规模可编程逻辑器件实现。通过对该逻辑器件的编程,能实现任意复杂的时序逻辑,且调试方便,只使用一片集成电路以及少数外围器件,故可靠性高。本文即采用这种方法,实现了CCD97所需的12路驱动时序。

1 CCD97简介
CCD97是E2V公司的背照式低照度CCD图像传感器,有效像素512X512,像素大小16μm×16 μm,它是帧转移型CCD,芯片采用反向输出模式抑制暗电流,其灵敏度高,噪声控制方面精益求精,由于采用新的输出放大电路,使它能在11 MHz的像素读出速率下,以低于1电子/像素的超低噪声工作,其量子效率高达92.5%。它获取图像速度快,具有正常CCD和EMCCD双读出模式。在微光成像系统中更具有优越性,能实现真正意义上的24 h实时监控。

2 驱动电路的设计
2.1 CCD97驱动电路的要求
成像区向存储区的转移波形如图1所绕行电感示。


信号电荷在增益寄存器中的转移波形如图2所示。图2为信号电荷在增益寄存器中的转移波形,转移脉冲Rφ2HV的高电平必须先于Rφ1和Rφ2到达,同时Rφ1和Rφ2需要交替变化。


帧转移时序如下:
I&ph共模电感器i;与Sφ为帧转移脉冲,Rφ1,2,3为行转移脉冲。Iφ与Sφ的典型工作频率为1 MHz,Rφ的工作频率为11 MHz。
在Iφ1,2和Iφ3,4反向时序下,将成像区图像信号逐行转移至存储区。需要转移的行数为512+8+8=528。
行转移时序图:
与帧转移结束,在转移时序Rφ1,2,3以工字电感及RφHV的时序作用下,存储区的图像以行为单位进行转移,逐像素通过移位寄存器组,然后从读出放大器读出(EMCCD读出模式),其操作时序如图3所示。


CCD97所需的电压和波形如表1所示。


由CPLD,FPGA等可编程器件发生的时序逻辑冒充为TTL型,要想它能驱动CCD97工作,必须按照表1进行电平转换。
2.2 驱动电路的设计
该系统选用的FPGA芯片为Altera公司Cyclone系列的FPGAEP1C3T100,其有100个管脚封装,I/O的电源为3.3 V,内核电压为1.5 V,有1个锁相环(PLL),2个专用全局时钟输入管脚CLK0、CLK1,5个双重用途时钟管脚DPCLK。EP1C3T100是SRAM型的可编程逻辑器件,本身并不能固化程序,因此需要通过一片FLASH结构的配置芯片来存储逻辑配置信息。从Altera公司提供的数据手册,可知Cyclone系列的FPGA仅支持EPCS1,EPCS4以及EPCS16。而选用的EP1C3T100中,其原始二进制文件大小为627 376 b,使用EPCS1(1 048 576 b)的配置芯片。使用EPCS配置芯片在主动串行模式(AS)下(MSEL[0..1]置地),即可实现上电后,将存储器件中的数据传送到EP1C3T100中。系统通过ARM加载驱动程序实现对FPGA的配置,驱动FPGA产生CCD的工作时序。本系统选用Atmel公司的AT91RM9200的处理器。它是基于ARM920T内核,主频为180 MHz,运行性能可达200 MIPS,拥有独立的16 KB指令和数据Cache,并配备有16 KB的SRAM以及128 KB的ROM。 1

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