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基于LED芯片封装缺陷检测方法研究

时间:2014-12-13 01:56:29  来源:扁平线圈电感厂家   点击:

  3结论

  针对引脚式LED芯片封装过程中存在的封装缺陷问题,基于p-n结的光生伏特效应,利用电子隧穿效应分析了一种封装缺陷对LED性能的影响。理论分析表明,当LED芯片电极表面存在非金属膜层时,流过LED支架回路的光电流小于光生电流,随着膜层厚度的增加,回路光电流逐渐减小,其检测信号减小。通过非接触法检测待测LED光激励信号并与焊接合格的LED光激励信号进行比较,实现对引脚式封装LED芯片在压焊工序中/后的功能状态及封装缺陷的检测。分析了影响检测精度的因素。用焊接合格与芯片电极表面存在非金属膜的12mil黄LED样品进行实验,结果表明,该方法可以检测LED支架回路微安量级光生电流信号,并具有较高的信噪比,检测结果能实现对焊接质量合格与芯片失效或存在封装缺陷的LED的区分,达到对LED芯片在压焊工序中/后的功能状态及封装缺陷检测的目的,从而降低LED生产成本、提高产品质量、避免使用存在缺陷的LED造成重大损失。 塑封电插件电感器滤波电感器感器

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